反应离子刻蚀

  • 网络RIE; DRIE; Reactive Ion Etching

反应离子刻蚀反应离子刻蚀

反应离子刻蚀

RIE

反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究 …

DRIE

深度反应离子刻蚀DRIE)可以设计具有复杂和多变几何形状的结构,并且可以使谐振器位于水平面上。 谐振器必须具有足够 …

Reactive Ion Etching

  ④最后对硅基板进行反应离子刻蚀Reactive Ion Etching)去除残留的光刻胶,即可以复制出与模版等比例的纳米图案。  2.2 …

RIE, Reactive Ion Etching

反应离子刻蚀RIE, reactive ion etching)是芯片制作过程中重要的一种工艺手段。在芯片制造过程中,为了制作一层金属或其 …

reactive ion etching,RIE

单晶硅常用词汇 - Crystal Growth and Raw... ... 反应离子刻蚀 reactive ion etching,RIE 等离子[体]刻蚀 plasma etching ...

Reactive ion etch

反应离子刻蚀 反应离子刻蚀Reactive ion etch)是在等 离子中发生的。 随着材料表层的“反应-剥离-排放”周 期循环,材料 …

MERIE

...机既可作反应离子刻蚀 ( RIE ),又可作磁增强反应离子刻蚀( MERIE ),且转换十分方便( 只需拨一下开关 ),由于有磁场的作 …

RIE-Reactive Ion Etch

目前流行的 典型设备为反应离子刻蚀RIE-Reactive Ion Etch)系统。它已被广泛应用于微处理器(CPU)、 存储(DRAM) …

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