TDDB

  • 网络经时击穿(Time dependent dielectric breakdown);经时绝缘击穿;时间相关绝缘击穿

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经时击穿(Time dependent dielectric breakdown)

经时击穿 (TDDB) 是介电材料(如二氧化硅 (SiO电容器将为所有的隔离器件的输入至输出建模。

经时绝缘击穿

经时绝缘击穿TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文介绍了氧化硅结构及其作为栅氧化层的击穿机理和几种主要TD…

时间相关绝缘击穿

这种随使用时间累计而产生的击穿现象称为“时间相关绝缘击穿”(TDDB)。加上深亚微米技术的应用,会增加这类故障在现场发 …

时间相关介电层击穿

...热载流子、负偏压温度不稳定性(NBTI)、电迁移、时间相关介电层击穿TDDB)或电荷击穿(QBD)。

介质击穿

7) 与时间有关的介质击穿 (TDDB) 施加的电场低于栅氧的本征击穿强度, : 但经历一定的时间后仍发生击穿的现象.这是由于施加 …

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