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MOSFETs

网络场效应晶体管；金氧半场效电晶体；射频与保护器件

MOSFETs

网络释义

MOSFETs

场效应晶体管

示宽灯和尾灯都由大灯开关中的场效应晶体管（MOSFETS）驱动，当检测到的电源电压超过13.5V时，晶体管向每个灯泡提供 …

金氧半场效电晶体

偏压温度效应是金氧半场效电晶体(MOSFETs)的可靠度问题之一，早期的研究指出，主要的劣化情况是发生在施加负偏压於p通 …

射频与保护器件

静电防护与电磁干扰... ... ESD/EMI Protection 保护应用和应用笔记 MOSFETs 射频与保护器件 Switches:High-Side,Low-Side …

场效应管系列

场效应管系列（MOSFETS）2N7002、AO3401-T1、2SK3018、BSS138IRLML2402、P3055LD、2SK2071-01L、CEM9435A…

效应电晶体

• 东芝场效应电晶体 (MOSFETs)• 高频电晶体• MOSFET表面贴装电晶体• 射频功率MOSFET• MOSFET功率电晶体• SMD 射频 …

金氧半电晶体

金氧半电晶体(MOSFETs)：a.30伏特30安培金氧半电晶体。b.60伏特25安培金氧半电晶体。

场效应管功率管

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例句：

as such, a circuit designed with L-mosfet usually can work fine without a Vbe (or Vgs) multiplier for thermal compensation .

同样地，用 L-mosfets 设计的线路不用 Vbe （或 Vgs ）倍增器作温度补偿可以工作得非常好。

Using D-mosfets in such a circuit without modification would destroy your mosfets in no time.

使用 D-mosfets 在这样的线路不加于改变将立刻损坏你的 mosfets 。

All semiconductor devices should be protected from static discharge , but MOSFETs are themost liable to build up a killing charge .

所有的半导体设备应该得到保护，免受静电放电，但 MOSFET 的 themost 负责建立一个杀费。

Lateral mosfets (mostly from Toshiba and Hitachi) are older designs with negative temperature coefficients .

水平 mosfets （多数来源于 Toshiba 和 Hitachi ）是用负温度系数的老设计。

We test the shot noise by this testing system for short-channel MOSFETs and the diodes testing , and the results are satisfying.

应用本测试系统测试短沟道 MOSFET 和二极管散粒噪声，得到了较好的测试结果。

regulators and for driving power MOSFETs or transistors .

或晶体管的驱动进行了优化。

Using logic-level MOSFETs also allows the control to run on as few as four cells .

使用逻辑级别的 MOSFET 还允许控制上运行，只有 4 细胞。

here is a quick calculation , assuming that we generate the same output voltage on the same load , but with mosfets.

这有一个快速计算办法。假设，我们在相同负载输出相同的电压，但是使用场管。

The effect of neutral trap on tunneling current in ultrathin MOSFETs is investigated by numerical analysis .

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET ）隧穿电流的影响。

The dielectric layer so formed may be used in the fabrication of MOSFETs (145 ).

这样形成的介质层可以用于制造 MOSFET （145 ）。

Realistically , semiconductor switches such as MOSFETs or BJTs are non-ideal switches, but high efficiency controllers can still be built .

现实，半导体电晶体开关，如 MOSFET 或是非理想的开关，但高效率控制器仍然可以兴建。

The second is RDSon, as some drivers have integrated high voltage MOSFETs.

其次就是 RDSon ，因为一些驱动器采用了集成高压 MOSFET 。

Then people begin to study how to maintain performances of long channel devices when the characteristic dimension of MOSFETs reduced.

于是人们开始研究如何在 MOS 器件尺寸缩小的同时，仍然继续保持长沟道器件的良好特性。

Studies of Equivalent Circuit Simulation and Testing Techniques for Single Event Burnout and Gate Rupture of Power MOSFETs

单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术

Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs

阈值电压解析模型

Hot Carrier Degradation Mechanisms in SOI MOSFETs

器件的热载流子退化机理

Research and development of vertical channel MOSFETs

垂直沟道器件的研究与进展

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金氧半场效电晶体

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场效应管系列

效应电晶体

金氧半电晶体

场效应管功率管

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