磷化铟
- un.indium phosphide
- 网络InP; Indium Phosphide; Indium Phosphide, InP
磷化铟磷化铟
InP
...产品皆自行研发的安捷伦(Agilent)，利用新的磷化铟(InP)材料与制程技术，突破现有矽锗(SiGe)处理器仅可达到 16GHz的频 …
Indium Phosphide
利用了磷化铟（Indium Phosphide）的发光属性在后端做组合激光器，通过雪崩效应增益，前端芯片部分集合了几个通道的调 …
Indium Phosphide, InP
此项热光伏电池技术采用磷化铟(Indium Phosphide, InP)为原料，而非传统的锑化镓(Gallium antimonide)。InP具有高效率、低 …
InGaP
联铨初期将进行面射式雷射(VCSEL)晶片与六寸磷化铟(InGaP)磊晶片的生产，未来将配合南科已有的砷化镓晶圆代工厂─宏捷 …
S-InP
而将LPD-TiO2沉积在硫化铵处理过后的磷化铟(S-InP)上，我们制作出4 x 100 μm2 的增强型N通道LPD-TiO2/S-InP MOSFET， …
1
2
3
4
6
7
8
9