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2]，
劳利斯
道格拉斯·菲尔
University Undergraduates'
Coccu
电常数介电
电常数介电
电常数介电
例句：
1
NTBI induced device degradation
can
be
suppressed
by
a
SiN capping
layer
between
Poly-Si
gate
and
high
k
dielectric
layer
.
在
闸
极
与
高
介
电
常数
介
电
层
间
使用
氮化
矽
可
有效
抑制
负
偏
压
温度
不
稳定性
的
现象
。
2
Test
Method
for
Relative
Permittivity
(
Dielectric
Constant
)
and
Dissipation
Factor
of
Polymer
-Based
Microwave
Circuit
Substrates
塑料
基
微波
电路
底板
的
相对
介
电
常数
（
介
电常数
）
及
损耗
因数
的
试验
方法
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