化学气相淀积
- n.chemical vapor deposition; CVD
- 网络Chemical Vapor Deposition; MOCVD; LCVD
化学气相淀积化学气相淀积
CVD
化学气相淀积技术：包括化学气相淀积（CVD）、低压化学气相淀积（LPCVD）、等离子体增强化学气相淀积（PECVD）、金 …
Chemical Vapor Deposition
化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 CVD技术特点： 具有 …
MOCVD
拉曼散射光谱是一 属化学气相淀积 ( MOCVD) 法进行的 . 外延膜厚度约 为 2 —μ 原生 GaN 在室温下的电子浓度和迁移率 3 m. …
LCVD
简要概述了脉冲激光蒸发淀积(PLED)和激光诱导化学气相淀积(LCVD)的基本原理、淀积系统和激光器。侧重详细介绍了这种技 …
HDP CVD
[制造] 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 [设计] 应用分布式算法在FPGA平台实现FIR低通滤波器 [企业与产品] Ment…
PECVD
目前普遍采用的方法是等离 子增强型化学气相淀积(PECVD)法，采用该方法可以根据需要，控制薄膜太阳能 电池的光谱透过率 …
MOVCD
...利用广泛已知的各种外延技术如分子束外延(MBE)、化学气相淀积（MOVCD）等来进行器件制造的传统方法。
L PCVD
尤其是低压 化学气相淀积 (L PCVD ) , SiN x 膜最厚只能淀积 300nm 左右, 超过 300nm 薄膜就会开裂, 甚 至脱落. 等离子增强化 …
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