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- 网络深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching)；反应离子刻蚀技术；深反应离子刻蚀技术
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深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching)
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了 …
反应离子刻蚀技术
借助深度反应离子刻蚀技术(DRIE)的工艺，碳晶部件达到了千分之一毫米(即1微米)的超高精度，并且具有极其光滑的表面。这 …
深反应离子刻蚀技术
随 着深反应离子刻蚀技术（DRIE）的出现，体硅微机械加工技术的加工精度显著提高，在硅衬底上用多 晶硅制作不仅适宜批 …
深反应离子蚀刻
建构於深反应离子蚀刻(DRIE)制程上的制程选项使得有可能在主要标准IC制程完成后来制作MEMS结构。当再结合拥有氧化物 …
Deep Reactive Ion Etch
...用体硅微机械进行大批量生产的潜力，比起文献中运用 DRIE(deep reactive ion etch)方法制备的器件，可以降低成本。这一 …
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